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技术文档
型号
NE85633-T1B-A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE85633-T1B-A
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans Gp Bjt NPN 12V 0.1A 3-PIN SOT-23 T/r
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NE85633-T1B-A详情
技术参数
NEC NE85633-T1B-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
质量
1.437803 g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12 V
Voltage Rating (DC)
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
额定电流
100 mA
频率
1 GHz
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
7 GHz
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
增益
11.5 dB
转换频率
最大击穿电压
发射极基极电压 (VEBO)
3 V
连续集电极电流
宽度
1.5 mm
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
无铅
NE85633-T1B-A拓展信息
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型号:NE68133T1BA
封装:--
品牌:NEC
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