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技术文档
型号
NE85639-T1-A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE85639-T1-A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans Gp Bjt NPN 12V 0.1A 4PIN
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NE85639-T1-A详情
技术参数
NEC NE85639-T1-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12 V
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
包装
Tape & Reel (TR)
最大功率耗散
200 mW
额定电流
100 mA
极性
NPN
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
增益
13 dB
转换频率
9 GHz
最大击穿电压
发射极基极电压 (VEBO)
3 V
连续集电极电流
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.5 mm
无铅
NE85639-T1-A拓展信息
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公司资质
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型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
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库存:0
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