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技术文档
型号
NE97833-T1B-A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE97833-T1B-A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF Bipolar Transistors PNP High Frequency
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NE97833-T1B-A详情
技术参数
NEC NE97833-T1B-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Manufacturer Part Number
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.82
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
5500 MHz
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
12 V
最高频段
S带
集电极-基极电容-最大值
1 pF
NE97833-T1B-A拓展信息
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公司资质
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型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
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