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技术文档
型号
NP110N04PUG-E1-AZ
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NP110N04PUG-E1-AZ
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
Axial
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
N-CH 40V 110A 2mOhm TO263-3 RoHSconf
起订量
1最小包装量--
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NP110N04PUG-E1-AZ详情
技术参数
NEC NP110N04PUG-E1-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
35V
Lifetime @ Temp.
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
130 ns
Package Description
,
Manufacturer Package Code
PRSS0004AL-A3
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.66
Part Package Code
MP-25ZP
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
Military, MIL-PRF-39003/9, CSR21
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.351 Dia x 0.786 L (8.92mm x 19.96mm)
容差
±5%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
EAR99
类型
密封
最高工作温度
最小工作温度
-55 °C
电容量
39µF
子类别
FET 通用电源
峰值回流焊温度(摄氏度)
Brand Name
Renesas
ESR(等效串联电阻)
120 mOhm
失败率
P (0.1%)
引线间距
配置
Single
功率耗散
1.8 W
制造商的尺寸代码
D
接通延迟时间
54 ns
上升时间
140 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
110 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏源击穿电压
40 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
288 W
漏源电阻
1.4 mΩ
特征
Military
座位高度(最大)
辐射硬化
无
达到SVHC
compliant
无铅
NP110N04PUG-E1-AZ拓展信息
热销零件
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公司资质
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型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
库存:0
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