注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
NP80N055MDG-S18-AY
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NP80N055MDG-S18-AY
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-220-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-CH 55V 80A TO220
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
NP80N055MDG-S18-AY详情
技术参数
NEC NP80N055MDG-S18-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
TO-220
Capacitance Tolerance
20%
Package
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A (Tc)
厂商
NEC Corporation
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Product Status
Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
操作温度
175°C (TJ)
系列
-
电容量
0.01 uF
技术
MOSFET (Metal Oxide)
引线间距
7.5 mm
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.9mOhm @ 40A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6900 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
135 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
场效应管特性
NP80N055MDG-S18-AY拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
库存:0
型号:NE850R599A
型号:UPA1763G-E2-A
型号:2SJ358
型号:2SK3715
型号:2SJ601-Z
购物车 (0件产品)