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技术文档
型号
UPA1523BH
品牌
NEC
utmel 编号
1712-UPA1523BH
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1.3ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FULL PACK, SIP-10
起订量
--最小包装量--
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UPA1523BH详情
技术参数
NEC UPA1523BH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
10
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T10
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.37
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T10
资历状况
不合格
配置
2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
60 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
1.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8 A
DS 击穿电压-最小值
雪崩能量等级(Eas)
0.4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
28 W
UPA1523BH拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
库存:888
型号:NE850R599A
库存:0
型号:UPA1763G-E2-A
型号:2SJ358
库存:5000
型号:2SK3715
库存:88000
型号:2SJ601-Z
库存:31500
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