PDTD113ZT-QR详情
Nexperia PDTD113ZT-QR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
TO-236AB
RoHS
Details
Transistor Polarity
NPN
Typical Input Resistor
1 kOhms
Typical Resistor Ratio
10
Mounting Styles
SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min
70 at 50 mA, 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Pd - Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Part # Aliases
934664824215
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Base Product Number
PDTD113
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
系列
Automotive, AEC-Q101
配置
Single
功率 - 最大
250 mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
电阻基(R1)
1 kOhms
连续集电极电流
500 mA
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
PDTD113ZT-QR拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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