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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.11606
500
¥0.085338
1000
¥0.071115
2000
¥0.065243
5000
¥0.060975
10000
¥0.056721
15000
¥0.054855
50000
¥0.053939
Nexperia USA Inc. PDTA143ET,215
- 收藏
- 对比
PDTA143ET,215
1729-PDTA143ET,215
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

PDTA143ET Series 50 V 100 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PDTA143ET,215详情
Nexperia USA Inc. PDTA143ET,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
PDTA143
引脚数量
3
资历状况
不合格
极性
PNP
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
4.7 k Ω
集电极-基极电容-最大值
5pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PDTA143ET,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia
Nexperia USA Inc.
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