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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.152859
10
¥0.144207
100
¥0.136044
500
¥0.128343
1000
¥0.121079
Nexperia USA Inc. PDTC143ZU,115
- 收藏
- 对比
PDTC143ZU,115
1729-PDTC143ZU,115
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-70, SOT-323
大陆
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NEXPERIA - PDTC143ZU,115 - Bipolární Prebias / Digitální Tranzistor, BRT, Jeden NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PDTC143ZU,115详情
Nexperia USA Inc. PDTC143ZU,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DTC143
引脚数量
3
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压
50V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PDTC143ZU,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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