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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BC856BW,135
BC856BW,135
BC856BW,135

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Nexperia USA Inc. BC856BW,135

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型号

BC856BW,135

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-BC856BW,135

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor Gp Bjt PNP 65V 0.1A 3-PIN SC-70 T/r

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BC856BW,135
BC856BW,135 Nexperia USA Inc. Transistor Gp Bjt PNP 65V 0.1A 3-PIN SC-70 T/r

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BC856BW,135详情

技术参数

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型号对比

Nexperia USA Inc. BC856BW,135重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    65V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 频率

    100MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BC856

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    65V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    600mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    65V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 集电极-基极电容-最大值

    5pF

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Nexperia USA Inc. BC856BW,135.

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公司资质

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AS
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