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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.49692
10
¥0.468793
100
¥0.442257
500
¥0.417224
1000
¥0.393607
Nexperia USA Inc. BCP52-16,115
- 收藏
- 对比
BCP52-16,115
1729-BCP52-16,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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TRANS PNP 60V 1A SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCP52-16,115详情
Nexperia USA Inc. BCP52-16,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
1
hFEMin
63
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCP52
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率耗散
650μW
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1W
增益带宽积
145MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-60V
最大集电极电流
-1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
转换频率
115MHz
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最大结点温度(Tj)
150°C
环境温度范围高
150°C
高度
1.8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCP52-16,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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