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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.060105
10
¥1.0001
100
¥0.94349
500
¥0.890085
1000
¥0.839703
Nexperia USA Inc. BCP69-25,115
- 收藏
- 对比
BCP69-25,115
1729-BCP69-25,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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TRANS PNP 20V 2A SOT223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCP69-25,115详情
Nexperia USA Inc. BCP69-25,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.4W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
140MHz
基本部件号
BCP69
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
1.35W
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
650mW
正向电流
500mA
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
140MHz
正向电压
550mV
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
2A
最大重复反向电压(Vrrm)
40V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
转换频率
40MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
32V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2A
高度
1.7mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCP69-25,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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