Nexperia USA Inc. BF723,115
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BF723,115
1729-BF723,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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NEXPERIA - BF723,115 - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -250 V, 60 MHz, 1.2 W, -100 mA, 50 hFE
--最小包装量--
BF723,115详情
Nexperia USA Inc. BF723,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BF723
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率耗散
1.2W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
正向电压
1.25V
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 25mA 20V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 30mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
250V
转换频率
60MHz
频率转换
60MHz
VCEsat-最大值
0.8 V
集电极-基极电容-最大值
1.6pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BF723,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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