ON Semiconductor PZTA92
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PZTA92
1807-PZTA92
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
PZTA92详情
ON Semiconductor PZTA92重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 15 hours ago)
工厂交货时间
27 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
188mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-300V
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-500mA
频率
50MHz
基本部件号
PZTA92
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
250nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
-300V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
VCEsat-最大值
0.5 V
集电极-基极电容-最大值
6pF
高度
1.7mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PZTA92拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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