Nexperia USA Inc. BSP32,115

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

73

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.3W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

100MHz

基本部件号

BSP32

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

功率耗散

1.3W

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

90V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

650ns

接通时间-最大值(ton)

500ns

集电极-基极电容-最大值

20pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant