ON Semiconductor BCP56-10T3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

63 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

130MHz

频率转换

130MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅