Nexperia USA Inc. BST52,135

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.3V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.3W

终端形式

FLAT

基本部件号

BST52

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

极性

NPN

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.3W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 500mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.3V @ 500μA, 500mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

80V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

90V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

接通时间-最大值(ton)

400ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant