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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.262165
10
¥1.190723
100
¥1.123324
500
¥1.059738
1000
¥0.999755
Nexperia USA Inc. NHDTA114ETR
- 收藏
- 对比
NHDTA114ETR
1729-NHDTA114ETR
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB
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¥
总价: ¥
NHDTA114ETR详情
Nexperia USA Inc. NHDTA114ETR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
TO-236AB
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Base Product Number
NHDTA114
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
Single PNP
Emitter- Base Voltage VEBO
- 10 V
Typical Resistor Ratio
1
Pd - Power Dissipation
250 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
50
Typical Input Resistor
10 kOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Peak DC Collector Current
- 100 mA
Part # Aliases
934661359215
Manufacturer
Nexperia
Brand
Nexperia
Maximum Operating Frequency
150 MHz
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 80 V
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
MouseReel
子类别
Transistors
配置
Single
功率耗散
250mW
功率 - 最大
250 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
150 MHz
电阻基(R1)
10 kOhms
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased
NHDTA114ETR拓展信息
Nexperia USA Inc.
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Nexperia
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