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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.686838
10
¥2.534755
100
¥2.391273
500
¥2.255923
1000
¥2.128229
Nexperia USA Inc. PBSS2515MB,315
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- 对比
PBSS2515MB,315
1729-PBSS2515MB,315
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-XFDFN
大陆
立即发货

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 15 V, 420 MHz, 590 mW, 500 mA, 90
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS2515MB,315详情
Nexperia USA Inc. PBSS2515MB,315重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
420MHz
Power Dissipation (Max)
590mW
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
频率
420MHz
基本部件号
PBSS2515
元素配置
Single
功率耗散
590mW
功率 - 最大
250mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
25mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压
15V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS2515MB,315拓展信息
Nexperia USA Inc.
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