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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.397519
10
¥5.091997
100
¥4.803775
500
¥4.531863
1000
¥4.275336
Nexperia USA Inc. PBSS4032ND,115
- 收藏
- 对比
PBSS4032ND,115
1729-PBSS4032ND,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-74, SOT-457
大陆
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TRANS NPN 30V 3.5A 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4032ND,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS4032ND,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
hFEMin
60
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
135MHz
基本部件号
PBSS4032N
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Single
功率耗散
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
135MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
3.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 2A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 400mA, 4A
转换频率
135MHz
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS4032ND,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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