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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.36259
10
¥0.342066
100
¥0.322703
500
¥0.304437
1000
¥0.287205
Nexperia USA Inc. PBSS4120T,215
- 收藏
- 对比
PBSS4120T,215
1729-PBSS4120T,215
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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PBSS4120T Series 20 V 1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4120T,215详情
Nexperia USA Inc. PBSS4120T,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
300
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
480mW
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
已出版
2003
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
PBSS4120
元素配置
Single
功率耗散
480mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 50mA, 1A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
宽度
1.4mm
长度
3mm
高度
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
PBSS4120T,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
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