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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.567628
10
¥1.478896
100
¥1.395185
500
¥1.316209
1000
¥1.241709
ON Semiconductor KSC3265YMTF
- 收藏
- 对比
KSC3265YMTF
1807-KSC3265YMTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSC3265YMTF详情
ON Semiconductor KSC3265YMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
800mA
频率
120MHz
基本部件号
KSC3265
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
120MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 20mA, 500mA
转换频率
120MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
970μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSC3265YMTF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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