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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.819622
10
¥0.773229
100
¥0.729462
500
¥0.688171
1000
¥0.649218
Nexperia USA Inc. PBSS4160T,215
- 收藏
- 对比
PBSS4160T,215
1729-PBSS4160T,215
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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PBSS4160T Series 60 V 1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4160T,215详情
Nexperia USA Inc. PBSS4160T,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
220MHz
Power Dissipation (Max)
270mW
Number of Elements
1
hFEMin
250
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
220MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
PBSS4160
元素配置
Single
功率耗散
1.25W
功率 - 最大
400mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 100mA, 1A
转换频率
220MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS4160T,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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