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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.293939
500
¥0.216129
1000
¥0.18011
2000
¥0.165237
5000
¥0.154425
10000
¥0.143653
15000
¥0.138928
50000
¥0.136608
Nexperia USA Inc. PBSS4220V,115
- 收藏
- 对比
PBSS4220V,115
1729-PBSS4220V,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS NPN 20V 2A SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4220V,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS4220V,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
210MHz
Power Dissipation (Max)
900mW
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
频率
210MHz
基本部件号
PBSS4220
元素配置
Single
功率耗散
900mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 200mA, 2A
转换频率
210MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS4220V,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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