Nexperia USA Inc. PBSS5220V,115

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

455mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

185MHz

Power Dissipation (Max)

900mW

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

频率

185MHz

基本部件号

PBSS5220

元素配置

Single

功率耗散

900mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

155 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

390mV @ 200mA, 2A

转换频率

185MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅