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1

￥3.143474
10

￥2.965544
100

￥2.797682
500

￥2.63932
1000

￥2.489925

Nexperia USA Inc. PBSS5320D,115

Name: PBSS5320D,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-PBSS5320D,115
Price: 3.14 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PBSS5320D,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-PBSS5320D,115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PBSS5320D - 20 V low VCEsat PNP transistor

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PBSS5320D,115 Nexperia USA Inc. PBSS5320D - 20 V low VCEsat PNP transistor

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Nexperia USA Inc. PBSS5320D,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-74, SOT-457
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz
Power Dissipation (Max)

750mW
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
附加功能

HIGH RELIABILITY
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
频率

100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
基本部件号

PBSS5320
元素配置

Single
功率耗散

750mW
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

20V
最大集电极电流

3A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 2A 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 300mA, 3A
转换频率

100MHz
最大击穿电压

20V
集电极基极电压(VCBO)

20V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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PBSS5320D,115拓展信息

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