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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.762354
500
¥0.560561
1000
¥0.467133
2000
¥0.428557
5000
¥0.400524
10000
¥0.372577
15000
¥0.360326
50000
¥0.354303
Nexperia USA Inc. PDTA114EQBZ
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- 对比
PDTA114EQBZ
1729-PDTA114EQBZ
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
3-XDFN Exposed Pad
大陆
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PDTA114EQB/SOT8015/DFN1110D-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PDTA114EQBZ详情
Nexperia USA Inc. PDTA114EQBZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1110D-3
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
Obsolete
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Number of Elements per Chip
3
Package Type
DFN1110D-3
Maximum Collector Emitter Voltage
-50 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
系列
-
功率 - 最大
340 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
180 MHz
电阻基(R1)
10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
PDTA114EQBZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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Nexperia
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