Nexperia USA Inc. PDTA143XQCZ
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PDTA143XQCZ
1729-PDTA143XQCZ
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
3-XDFN Exposed Pad
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PDTA143XQC/SOT8009/DFN1412D-3
1最小包装量--
PDTA143XQCZ详情
Nexperia USA Inc. PDTA143XQCZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1412D-3
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Number of Elements per Chip
3
Package Type
DFN1412D-3
Maximum Collector Emitter Voltage
-50 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
Typical Resistor Ratio
2.13
Pd - Power Dissipation
450 mW
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
50 at - 10 mA, - 5 V
Typical Input Resistor
4.7 kOhms, 10 kOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
系列
-
配置
Single
功率 - 最大
360 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
180 MHz
电阻基(R1)
4.7 kOhms
连续集电极电流
- 100 mA
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
PDTA143XQCZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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Nexperia
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