PDTA144EQBZ
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Nexperia USA Inc. PDTA144EQBZ

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型号

PDTA144EQBZ

utmel 编号

1729-PDTA144EQBZ

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

3-XDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PDTA144EQB/SOT8015/DFN1110D-3

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PDTA144EQBZ
PDTA144EQBZ Nexperia USA Inc. PDTA144EQB/SOT8015/DFN1110D-3

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PDTA144EQBZ详情

Nexperia USA Inc. PDTA144EQBZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, Wettable Flank

  • 包装/外壳

    3-XDFN Exposed Pad

  • 供应商器件包装

    DFN1110D-3

  • 厂商

    Nexperia USA Inc.

  • Product Status

    Obsolete

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • Number of Elements per Chip

    3

  • Package Type

    DFN1110D-3

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    -50 V

  • Maximum DC Collector Current

    100 mA

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    5000

  • Part # Aliases

    934662603147

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Brand

    Nexperia

  • RoHS

    Details

  • 系列

    -

  • 包装

    MouseReel

  • 子类别

    Transistors

  • 功率 - 最大

    340 mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    100mV @ 500μA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 频率转换

    180 MHz

  • 电阻基(R1)

    47 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47 kOhms

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

0个相似型号

PDTA144EQBZ拓展信息

PDTC114EU,115
PDTC114EU,115

Nexperia USA Inc.

PDTA143ET,215
PDTA143ET,215

Nexperia USA Inc.

PDTC114TU,115
PDTC114TU,115

Nexperia USA Inc.

PDTC143ZT,215
PDTC143ZT,215

Nexperia USA Inc.

PUMD48-QX
PUMD48-QX

Nexperia

PDTB123YT,215
PDTB123YT,215

Nexperia USA Inc.

PDTC143ZT,235
PDTC143ZT,235

Nexperia USA Inc.

PDTC114ET,235
PDTC114ET,235

Nexperia USA Inc.

PDTC143XU,115
PDTC143XU,115

Nexperia USA Inc.

PDTC123JU,115
PDTC123JU,115

Nexperia USA Inc.

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