Nexperia USA Inc. PDTC114EQBZ
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PDTC114EQBZ
1729-PDTC114EQBZ
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
3-XDFN Exposed Pad
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PDTC114EQB/SOT8015/DFN1110D-3
--最小包装量--
PDTC114EQBZ详情
Nexperia USA Inc. PDTC114EQBZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1110D-3
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Number of Elements per Chip
3
Package Type
DFN1110D-3
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
MSL
-
Qualification
-
Transistor Polarity
Single NPN
系列
-
功率耗散
340mW
功率 - 最大
340 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
180 MHz
电阻基(R1)
10 kOhms
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
PDTC114EQBZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia
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