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技术文档
型号
1N485B
品牌
NTE ELECT
utmel 编号
1780-1N485B
商品类别
二极管 - 整流器 - 单
封装
4-VDFN
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35
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1N485B详情
技术参数
NTE ELECT 1N485B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
DO-35
Package
Tube
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
DSC1001
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
类型
XO (Standard)
电压 - 供电
1.7V ~ 3.6V
频率
12.5 MHz
频率稳定性
±25ppm
输出量
CMOS
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
MEMS
最大电流源
6.5mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
15µA
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
25 nA @ 175 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 100 mA
扩频带宽
-
工作温度 - 结点
175°C (Max)
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200 V
平均整流电流(Io)
200mA
电容@Vr, F
绝对牵引范围 (APR)
座位高度(最大)
0.035 (0.90mm)
评级结果
AEC-Q100
1N485B拓展信息
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NTE Electronics, Inc
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:GI851/MR851
封装:DO-201AD, Axial
品牌:NTE Electronics, Inc
库存:0
型号:GI856/MR856
型号:GI850/MR850
型号:GI852/MR852
型号:NTE6071
封装:DO-203AA, DO-5, Stud
型号:NTE6103
封装:Stud
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