NTE Electronics, Inc NTE16001

包装/外壳

3-SIP

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

3-SIP

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA

Product Status

活跃

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Manufacturer Part Number

NTE16001

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

500 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.13

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

600 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

35 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 10mA, 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

35 V

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

45 V

最大耗散功率(Abs)

0.6 W

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

集电极-发射器电压-最大值

35 V

最高频段

甚高频段

集电极-基极电容-最大值

1.5 pF