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技术文档
型号
NTE16003
品牌
NTE Electronics, Inc
utmel 编号
1780-NTE16003
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
T-NPN SI RF PO=7.5 WATTS
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NTE16003详情
技术参数
NTE Electronics, Inc NTE16003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-60
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Package
Bag
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5A
Manufacturer Part Number
Manufacturer
NTE Electronics
Package Description
POST/STUD MOUNT, O-MUPM-P3
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Transition Frequency-Nom (fT)
500 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.02
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
BIP 射频小信号
端子位置
UPPER
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-P3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
11.6W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
JEDEC-95代码
增益
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
频率转换
500MHz
最大耗散功率(Abs)
12 W
集电极电流-最大值(IC)
1.5 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
40 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
10 pF
噪音数字(分贝类型@ f)
环境耗散-最大值
11.6 W
NTE16003拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTE55
封装:TO-220-3
品牌:NTE Electronics, Inc
库存:0
型号:NTE2501
封装:TO-225AA, TO-126-3
型号:NTE78
封装:16-DIP (0.300", 7.62mm)
型号:NTE65
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型号:NTE2634
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