NTE Electronics, Inc. NTE182
- 收藏
- 对比
NTE182
1780-NTE182
分立半导体产品
TO-225AB, TO-127-3
大陆
立即发货

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-127, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1最小包装量--
NTE182详情
NTE Electronics, Inc. NTE182重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AB, TO-127-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-127
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE182
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
10 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
2 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.75
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
90 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
最大集极截止电流
700µA
JEDEC-95代码
TO-127
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
8V @ 3.3A, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
2MHz
最大耗散功率(Abs)
90 W
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
5
集电极-发射器电压-最大值
60 V
环境耗散-最大值
90 W
NTE182拓展信息







哦! 它是空的。