NTE Electronics, Inc. NTE175
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NTE175
1780-NTE175
分立半导体产品
TO-213AA, TO-66-2
大陆
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin
1最小包装量--
NTE175详情
NTE Electronics, Inc. NTE175重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-66
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE175
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
15 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.72
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
35 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 100mA, 10V
最大集极截止电流
5mA
JEDEC-95代码
TO-66
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 125mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
频率转换
15MHz
最大耗散功率(Abs)
40 W
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
8
集电极-发射器电压-最大值
300 V
环境耗散-最大值
40 W
NTE175拓展信息







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