NTE Electronics, Inc. NTE254
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NTE254
1780-NTE254
分立半导体产品
TO-225AA, TO-126-3
大陆
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1最小包装量--
NTE254详情
NTE Electronics, Inc. NTE254重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-126
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE254
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
4 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-W3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.74
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-W3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON
功率 - 最大
40 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Darlington
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
最大集极截止电流
100µA
JEDEC-95代码
TO-126
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 40mA, 4A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
40 W
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
80 V
环境耗散-最大值
40 W
NTE254拓展信息







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