NTE Electronics, Inc. NTE221

底架

通孔

包装/外壳

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-72

质量

7.257478 g

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Drain Source Voltage (Max)

20(V)

Power Gain (Typ)@Vds

17.5(dB)

Package Type

TO-72

Operating Temp Range

-65C to 175C

Power Dissipation (Max)

400(mW)

Channel Mode

Depletion

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Manufacturer Part Number

NTE221

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Voltage Rated

20 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.1

Usage Level

Military grade

系列

-

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

VHF

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

额定电流

18mA

最大功率耗散

400 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

-

引脚数量

4

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

功率耗散

400 mW

箱体转运

SOURCE

测试电流

10 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

N-Channel

连续放电电流(ID)

18 mA

JEDEC-95代码

TO-72

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

增益

20dB

筛选水平

Military

漏源击穿电压

20 V

输入电容

5.5 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

N

功率 - 输出

-

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

噪声图

5dB

电压-测试

13 V

反馈上限-最大值 (Crss)

0.03 pF

最高频段

甚高频段

宽度

76.2 mm

高度

4.82 mm

长度

152.4 mm

达到SVHC

Unknown