NTE Electronics, Inc NTE229

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-92

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Product Status

活跃

Package

Bag

Manufacturer Part Number

NTE229

Manufacturer

NTE Electronics

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

500 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

NTE ELECTRONICS - NTE229 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.12

Part Package Code

TO-92

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

425mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

JEDEC-95代码

TO-92

增益

28dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

频率转换

500MHz

最大耗散功率(Abs)

0.425 W

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

40 V

最高频段

甚高频段

集电极-基极电容-最大值

0.4 pF

噪音数字(分贝类型@ f)

6dB @ 45MHz

功率增益-最小值(Gp)

28 dB