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'nte229'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

系列

ECCN 代码

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

晶体管类型

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

JEDEC-95代码

增益

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

最大耗散功率(Abs)

集电极电流-最大值(IC)

最小直流增益(hFE)

集电极-发射器电压-最大值

最高频段

集电极-基极电容-最大值

噪音数字(分贝类型@ f)

功率增益-最小值(Gp)

NTE229
NTE229
NTE Electronics, Inc 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

NO

TO-92

3

SILICON

50mA

活跃

Bag

NTE229

NTE Electronics, Inc

NTE Electronics

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

CYLINDRICAL

PLASTIC/EPOXY

500 MHz

ROUND

1

活跃

NTE ELECTRONICS - NTE229 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V

NTE ELECTRONICS INC

2.12

TO-92

150°C (TJ)

-

EAR99

8541.21.00.75

其他晶体管

BOTTOM

WIRE

unknown

3

O-PBCY-W3

不合格

SINGLE

425mW

AMPLIFIER

NPN

NPN

30 @ 5mA, 10V

TO-92

28dB

30V

500MHz

0.425 W

0.05 A

30

40 V

甚高频段

0.4 pF

6dB @ 45MHz

28 dB