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NTE Electronics, Inc. NTE2375

Name: NTE2375
Brand: NTE Electronics, Inc.
SKU: 1780-NTE2375
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NTE2375

品牌

NTE Electronics, Inc.

utmel 编号

1780-NTE2375

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247,

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NTE2375 NTE Electronics, Inc. Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247,

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NTE2375详情

技术参数

NTE Electronics, Inc. NTE2375重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-3
供应商器件包装

TO-247
Manufacturer Part Number

NTE2375
Manufacturer

NTE Electronics
Package

Bag
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

NTE Electronics, Inc
Power Dissipation (Max)

230W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

55mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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