NTE Electronics, Inc. NTE2377

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2377

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

350 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.13

Drain Current-Max (ID)

8 A

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

150 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

8 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

接通延迟时间

20 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

80 ns

漏源电压 (Vdss)

900 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

8 A

阈值电压

3 V

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

1.6 Ω

漏源击穿电压

900 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

1.6 Ω

栅源电压

3 V

宽度

4.826 mm

高度

19.9898 mm

长度

15.5956 mm

达到SVHC

Unknown