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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 额定电流 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 晶体管应用 | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 漏源电阻 | 栅源电压 | 高度 | 长度 | 宽度 | 达到SVHC | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTE2377 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | 663 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | NO | 3 | 7.257478 g | 3 | SILICON | NTE2377 | NTE Electronics | Compliant | 350 ns | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 2.13 | 8 A | 150 °C | -55 °C | 150 W | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | 8 A | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | 增强型MOSFET | 150 W | 20 ns | SWITCHING | 80 ns | 900 V | N-CHANNEL | 8 A | 3 V | 30 V | 1.6 Ω | 900 V | 36 A | 900 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.6 Ω | 3 V | 19.9898 mm | 15.5956 mm | 4.826 mm | Unknown |
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