NTE Electronics, Inc. NTE2386

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2386

Manufacturer

NTE Electronics

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Turn-on Time-Max (ton)

210 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Turn-off Time-Max (toff)

320 ns

Risk Rank

5.34

Part Package Code

TO-204AA

Drain Current-Max (ID)

6.2 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-3

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

漏极-源极导通最大电阻

1.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

670 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

场效应管特性

-

环境耗散-最大值

150 W