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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 系列 | 附加功能 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 环境耗散-最大值 | 达到SVHC | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTE2386 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-204AA, TO-3 | NO | 2 | TO-3 | 2 | SILICON | NTE2386 | NTE Electronics | Bag | 6.2A (Tc) | 10V | 125W (Tc) | NTE Electronics, Inc | 活跃 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT | METAL | 210 ns | ROUND | 1 | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 320 ns | 5.34 | TO-204AA | 6.2 A | 4V @ 250µA | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 雪崩 额定 | FET 通用电源 | MOSFET (Metal Oxide) | BOTTOM | PIN/PEG | O-MBFM-P2 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 1.2Ohm @ 3.4A, 10V | 1300 pF @ 25 V | 80 nC @ 10 V | 600 V | ±20V | N-CHANNEL | TO-3 | 6 A | 1.2 Ω | 25 A | 600 V | 670 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 150 W | - | 150 W | unknown |
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