NTE Electronics, Inc. NTE2387
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NTE2387
1780-NTE2387
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
NTE2387详情
NTE Electronics, Inc. NTE2387重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220
质量
7.257478 g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Continuous Drain Current
4(A)
Drain-Source On-Volt
800(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
TO-220
Operating Temp Range
-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)
±30(V)
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements
1
Rad Hardened
无
Mounting
通孔
Manufacturer Part Number
NTE2387
Manufacturer
NTE Electronics
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
130 ns
Package
Bag
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
NTE Electronics, Inc
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Turn-on Time-Max (ton)
65 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Turn-off Time-Max (toff)
210 ns
Risk Rank
1.58
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
4 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
类型
功率MOSFET
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
125 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3 +Tab
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
极性
N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
125(W)
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
78 nC @ 10 V
上升时间
25 ns
漏源电压 (Vdss)
800 V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
4 A
阈值电压
3 V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4 A
漏极-源极导通最大电阻
3 Ω
漏源击穿电压
800 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
16 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
场效应管特性
-
漏源电阻
3 Ω
栅源电压
3 V
环境耗散-最大值
125 W
宽度
76.2 mm
高度
15.494 mm
长度
10.668 mm
达到SVHC
Unknown
NTE2387拓展信息







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