NTE Electronics, Inc. NTE2395

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2395

Manufacturer

NTE Electronics

Schedule B

8541290080

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

45 ns

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.11

Drain Current-Max (ID)

50 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

150 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28mOhm @ 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

67 nC @ 10 V

上升时间

110 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

50 A

阈值电压

4 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.028 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

恢复时间

180 ns

场效应管特性

-

漏源电阻

28 mΩ

栅源电压

2 V

高度

15.494 mm

长度

10.668 mm

达到SVHC

Unknown