NTE Electronics, Inc. NTE2399

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2399

Manufacturer

NTE Electronics

Continuous Drain Current

3.1(A)

Drain-Source On-Volt

1000(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-220

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.12

Drain Current-Max (ID)

3.1 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125(W)

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 1.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

980 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-