NTE Electronics, Inc. NTE2932

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3PML

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2932

Manufacturer

NTE Electronics

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

90W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.75

Drain Current-Max (ID)

21.3 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85mOhm @ 10.65A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

123 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

605 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

90 W

场效应管特性

-