NTE Electronics, Inc. NTE2959
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NTE2959
1780-NTE2959
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
NTE2959详情
NTE Electronics, Inc. NTE2959重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2959
Manufacturer
NTE Electronics
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.75
Drain Current-Max (ID)
5 A
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
5 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏极-源极导通最大电阻
2.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
15 A
DS 击穿电压-最小值
900 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTE2959拓展信息







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