NTE Electronics, Inc. NTE2969

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2969

Manufacturer

NTE Electronics

Continuous Drain Current

30(A)

Drain-Source On-Volt

400(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-247

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±30(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.15

Drain Current-Max (ID)

25 A

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

290(W)

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

1429 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR