NTE Electronics, Inc. NTE2989
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NTE2989
1780-NTE2989
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
NTE2989详情
NTE Electronics, Inc. NTE2989重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
质量
4.535924 g
Manufacturer Part Number
NTE2989
Manufacturer
NTE Electronics
Continuous Drain Current
10(A)
Drain-Source On-Volt
600(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
TO-220
Operating Temp Range
-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)
±30(V)
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements
1
Rad Hardened
无
Mounting
通孔
RoHS
Compliant
Package Description
,
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.13
类型
功率MOSFET
电阻
1 Ω
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
50 W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3 +Tab
极性
N
配置
Single
功率耗散
50(W)
漏源电压 (Vdss)
600 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
10 A
阈值电压
4 V
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
栅源电压
4 V
宽度
101.6 mm
高度
6.35 mm
长度
165.1 mm
达到SVHC
无SVHC
NTE2989拓展信息







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