NTE Electronics, Inc NTE323

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Manufacturer Part Number

NTE323

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

4(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-39

Transistor Polarity

PNP

Collector-Base Voltage

120(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

5@1A@2V/40@250MA@2V

Mounting

通孔

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

30 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.53

系列

-

操作温度

200°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

30(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

1(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 200mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

30MHz

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

120 V