NTE457
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NTE Electronics, Inc NTE457

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型号

NTE457

utmel 编号

1780-NTE457

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW

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1最小包装量--

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NTE457
NTE457 NTE Electronics, Inc JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW

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NTE457详情

NTE Electronics, Inc NTE457重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-92

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    NTE Electronics, Inc

  • Package

    Bag

  • Product Status

    活跃

  • Operating Temperature (Max.)

    125C

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    TO-92

  • Gate-Source Voltage (Max)

    25(V)

  • Rad Hardened

  • Operating Temperature (Min.)

    -65C

  • Mounting

    通孔

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NTE457

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    NTE Electronics Inc

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    NTE ELECTRONICS INC

  • Risk Rank

    1.58

  • Part Package Code

    TO-92

  • 系列

    -

  • 操作温度

    125°C (TJ)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    O-PBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率 - 最大

    310 mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7pF @ 15V

  • 漏源电压 (Vdss)

    25 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • DS 击穿电压-最小值

    25 V

  • 信道型

    N

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.31 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    3 pF

  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)

    1 mA @ 15 V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    500 mV @ 10 nA

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    25 V

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